فرض کنید نوری را به یک ماده تابانده‌ایم و می‌خواهیم پاسخ نوری ماده نسبت به این تابش را بررسی کنیم.
اولین تجزیه و تحلیل داده‌های نوری بر پایه‌ی این فرض بود: قله‌های جذب در طیف نوری ماده می‌توانند بر حسب اختلاف انرژی، بین تکینگی‌های وَن-هوف (قله‌های موجود در نمودار چگالی حالات، تکینگی‌های وَن-هوف نامیده می‌شود:
Van Hove Singularities) در نوارهای رسانش و ظرفیت رسم شوند.
در مورد نانولوله‌ها تجمع حالت‌ها در VHS باعث می‌شود، طیف نوری، توسط گذار بین این قله‌ها بیان شود. هم‌چنین
قواعد انتخاب مشخص خواهند کرد، قوی‌ترین گذارهای نوری بین زیرنوارها با تکانه‌ی زاویه‌ای یکسان اتفاق می‌افتند، این بیان انرژی‌های برانگیختگی $ {E_{ii}} $ را ارائه می‌دهد.
یادآوری می‌کنیم، برای هر $ k $ ، دو نوار متقارن که یکی پر و دیگری خالی است، داده می‌شود بنابراین گذار بین این دو زیرنوار مجاز است. گذارهای نوری Optical transitions بین $v_1-c_1$ ، $v_2-c_2$ و $\ldots $ رخ خواهند داد.
اغلب برای حالت‌های نانولوله‌های نیمه‌رسانا و یا فلز، گذارها به ترتیب به صورت
$ {S_{11}} $, $ {S_{22}} $, $ {M_{11}} $ و $\ldots$ بیان می‌شوند. اگر رسانایی لوله مشخص نباشد و یا اهمیتی نداشته باشد به صورت $ {E_{11}} $, $ {E_{22}} $ و $\ldots$ در نظر گرفته می‌شوند.
