نانو لوله‌های کربنی و ABINIT

فَبِأَیِّ آلاءِ رَبِّکُما تُکَذِّبانِ

نانو لوله‌های کربنی و ABINIT

فَبِأَیِّ آلاءِ رَبِّکُما تُکَذِّبانِ

نانو لوله‌های کربنی و ABINIT

بسم الله الرحمن الرحیم

.•*..*•. .•*..*•. .•*..*•. .•*..*•. .•*..*•. .

نام نیکو گر بماند ز آدمی/ به کز او ماند سرای زرنگار

.•*..*•. .•*..*•. .•*..*•. .•*..*•. .•*..*•. .

نسیم مرادی، کارشناسی ارشد فیزیک اتمی مولکولی

علاقه مند به ساختار و خواص نانولوله های کربنی هستم
در این وبلاگ مطالبی که در مورد این ماده
مطالعه کرده م رو قرار می دم
برای نمایش فرمول ها بهتره از مرورگر IE استفاده نکنید
دوستان عزیز خوشحال میشم نظراتتون رو در مورد هر مطلب بدونم
ولی در سیستم بلاگ امکاناتی برای پاسخگویی به نظرات خصوصی نیست، ممنون میشم نظرات خصوصی ارسال نکنید.

اولین بار این وبلاگ رو فقط به این دلیل زدم
که مطالب پایان نامه م رو توش بریزم
شاید در فضای مجازی بدرد کسی بخوره ^_^

.•*..*•. .•*..*•. .•*..*•. .•*..*•. .•*..*•. .

پیشاپیش از نگاه شما سپاسگزارم.
کپی مطالب آزاد است.

۲ مطلب با کلمه‌ی کلیدی «ساختار نواری» ثبت شده است

 از آنجا که تعداد حالت های الکترونی در یک نوار الکترونی (رسانش یا ظرفیت) بسیار زیاد است، برای بیان تعداد این حالت ها از مفهوم چگالی حالات استفاده می شود. چگالی حالات بیانگر تعداد حالت هایی است که انرژی آن ها بین $E$ و $dE$ است، به عبارتی تعداد حالات در دسترس در واحد انرژی، چگالی حالات نام دارد. به علت وجود تقارن کافی است که چگالی حالت را در منطقه اول بریلوئن بدست آورد.

برای مجموعه‌ای از ویژه مقادیر انرژی ‎$ \varepsilon $‎ ، چگالی حالات (Density Of States (DOS با رابطه‌ی زیر بیان می‌شود:

$$‎\rho (E) = \frac{1}{l}{\sum\limits_{bands} {\sum\limits_i {\int {dk\delta (k-{k_i})\left| {\frac{{\partial \varepsilon }}{{\partial k}}} \right|} } } ^{-1}},‎$$

نسیم مرادی
۲۵ فروردين ۹۳ ، ۱۴:۰۶ موافقین ۱ مخالفین ۰ ۱ نظر

در مباحث قبل شرط فلزی بودن و نیمه رسانایی نانولوله ها را مطرح کردیم،

در این تاپیک این شرط را بررسی و اثبات خواهیم کرد.

چون قطر نانولوله‌ها کوچک است ‎$(\sim1nm)$‎ یک فضای مهم میان مقادیر کوانتیده ‎$ {k_ \bot } $‎

وجود دارد. در جهت موازی با محور نانولوله، الکترون‌ها بر روی فاصله‌ی بیشتری آزادانه حرکت می‌کنند و عدد موج الکترون در جهت موازی یعنی ‎${k_\parallel } $‎ ‎ به طور موثر پیوسته است. پیوستگی حالت‌های ‎$ {k_\parallel} $‎ در هر مد، یک زیر نوار تک بعدی نامیده می‌شود.

‎$ {k_\bot} $‎ همانطور ک قبلا مطرح کردیم،  بوسیله‌ی شرط مرزی ‎$k_ {\bot } = 2\pi J‎ / ‎\left| {{{\vec C}_h}} \right| $‎ تعیین می‌‌شد و مقادیری کوانتیده بخود می گرفت.‎$ J $‎ یک عدد صحیح و ‎$ {d_t} $‎ قطر نانولوله می‌باشد. در شکل زیر خطوط موازی ‎ حالت‌های مجاز ‎$ k $‎ در نانولوله را نشان می‌دهد.

جهت‌گیری دقیق میان مقادیر ‎$ \vec k $‎ و نقاط ‎$ \vec K$‎ گرافین نقش مهمی در تعیین خواص الکتریکی نانولوله ایفا می‌کند. 

نسیم مرادی
۲۴ فروردين ۹۳ ، ۲۰:۴۲ موافقین ۱ مخالفین ۰ ۰ نظر