خواص الکتریکی نانولوله کربنی/قسمت چهارم/کوانتش اطراف استوانه گرافین
در مباحث قبل شرط فلزی بودن و نیمه رسانایی نانولوله ها را مطرح کردیم،
در این تاپیک این شرط را بررسی و اثبات خواهیم کرد.
چون قطر نانولولهها کوچک است $(\sim1nm)$ یک فضای مهم میان مقادیر کوانتیده $ {k_ \bot } $
وجود دارد. در جهت موازی با محور نانولوله، الکترونها بر روی فاصلهی بیشتری آزادانه حرکت میکنند و عدد موج الکترون در جهت موازی یعنی ${k_\parallel } $ به طور موثر پیوسته است. پیوستگی حالتهای $ {k_\parallel} $ در هر مد، یک زیر نوار تک بعدی نامیده میشود.
$ {k_\bot} $ همانطور ک قبلا مطرح کردیم، بوسیلهی شرط مرزی $k_ {\bot } = 2\pi J / \left| {{{\vec C}_h}} \right| $ تعیین میشد و مقادیری کوانتیده بخود می گرفت.$ J $ یک عدد صحیح و $ {d_t} $ قطر نانولوله میباشد. در شکل زیر خطوط موازی حالتهای مجاز $ k $ در نانولوله را نشان میدهد.
جهتگیری دقیق میان مقادیر $ \vec k $ و نقاط $ \vec K$ گرافین نقش مهمی در تعیین خواص الکتریکی نانولوله ایفا میکند.
برای روشن تر شدن بحث، ما ابتدا نانولولهها با کایرالیتهی $ (n,0) $ را بررسی میکنیم. برای این لولهها
$ {k_\bot} $ های مجاز در رابطه $ {k_\bot}=2\pi J/na $ صدق میکنند و $ \vec{K_1} $ در موقعیت$ ({k_\parallel },{k_ \bot }) = (0,\frac{{4\pi }}{3a}) $ قرار میگیرد $ a $ ثابت شبکهی شش گوشی است. هنگامی که $ n $ مضربی از 3 باشد یک $ {k_\bot} $ مجاز وجود دارد که بر $ \vec {K_1} $ منطبق است.
با قرار دادن $J=2q $ داریم:
$${k_ \bot } = \frac{2\pi J}{na} = \frac{4\pi q}{(3q)a} = \frac{4\pi }{3a}.$$
منطبق شدن $k_\bot$ بر $K_1$ باعث می شود هیچ گپی در ساختار نواری نانولوله مشاهده نشود.
حال اگر $ n $ مضربی از 3 نباشد دو حالت دیگر وجود دارد. نخست اگر $ n=3q+1 $ باشد، ما نزدیکترین $ {k_\bot} $ به $ {K_1} $
را بوسیلهی قرار دادن $ J=2q+1 $ بدست میآوریم:
$${k_ \bot } = \frac{{2\pi J}}{na} = \frac{{2\pi (2q + 1)}}{{(3q + 1)a}} = \frac{{4\pi }}{3a} + \frac{2}{3}\frac{\pi }{{(3q + 1)a}} = \frac{{4\pi }}{3a} + \frac{2}{{3{d_t}}},$$
به طور مشابه اگر $ n=3q-1 $ باشد نزدیکترین $ {k_\bot} $ مجاز متناظر با $J=2q-1 $ است:
$${k_ \bot } = \frac{{2\pi J}}{na} = \frac{{2\pi (2q-1)}}{{(3q-1)a}} = \frac{{4\pi }}{3a}-\frac{2}{3}\frac{\pi }{{(3q-1)a}} = \frac{{4\pi }}{3a}-\frac{2}{{3{d_t}}},$$
در این مورد، زیرنوارهای تک بعدی، $ {K_1} $ را قطع نمیکنند. و یک گپ نواری در ساختار نانولوله مشاهده می شود.
در انتها، میتوان این تعاریف را برای هر لوله با کایرالیته $ (n,m) $ تعمیم داد. بطور کلی اگر اختلاف بین دو عدد صحیح $ n $ و $ m $ را به صورت مقابل در نظر بگیریم: $ n-m=3q+p $ میتوان گفت همهی نانولولهها در یکی از سه دستهای که در شکل زیر نشان داده شده است قرار میگیرند و رفتار آنها در سه مورد زیر بررسی می شود:
الف):$ p=0 $ یک خط از $ k $ مجاز $ {K_1} $ را قطع میکند و نانولوله به صورت فلزی رفتار میکند.
ب):$ p=+1 $ فاصلهی میان $ k $ مجاز و $ {K_1} $ ، $ \Delta k = \frac{2}{{3{d_t}}}$ میباشد.
ج):$ p=-1 $ فاصلهی میان $ k $ مجاز و $ {K_1} $ ، $ \Delta k = -\frac{2}{{3{d_t}}}$ میباشد.
نانولولههای نوع $ p=\pm 1 $ دارای گپهای نواری بزرگ هستند $({E_{gap}} = 0.7~eV/{d_t}[nm])$
که این گپها، وجه تمایز آنها از نانولولههای نوع $ p=0 $ است. تفاوت فیزیکی میان $ p=1 $
و $ p=-1 $ کمتر آشکار است ولی در خواص الکترودینامیکی نانولولهها بیشتر نمایان میشود.
پس می توان گفت اگر اختلاف میان $n$ و $m$ مضربی از $3$ باشد نانولوله فلز و در غیر این صورت، نیمه رساناست.
همان طور ک مشاهده می کنید نانولولهی کربنی سیستمی را فراهم میکند که خواص الکتریکی آن میتواند بوسیلهی ساختار آن (قطر، کایرالیته و $ \ldots $) کنترل شود.